[发明专利]在半导体基底上隔离元件的方法无效
| 申请号： | 02106883.6 | 申请日： | 2002-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN1444263A | 公开（公告）日： | 2003-09-24 |
| 发明（设计）人： | 陈隆;王腾锋;杨人龙;张世辉;王永欣 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明揭示一种在半导体基底上隔离元件的方法；首先，在一半导体基底上形成一隔离层(isolationlayer)，并将其定义成至少两个隔离平台(isolationmesas)；然后，在基底上覆盖一层半导体层，其厚度至少覆盖住上述的隔离平台；接着，对上述半导体层施行一平坦化制程，直到露出上述隔离平台，如此一来，便可在上述隔离平台之间形成一半导体区域，作为形成元件的主动区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基底 隔离 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体基底上隔离元件的方法，至少包括下列步骤：形成一隔离层于一半导体基底上；定义该隔离层以形成至少两个隔离平台；形成一半导体层于该基底上，且其厚度至少覆盖住上述隔离平台；以及对该半导体层进行平坦化直到露出上述隔离平台为止，借此在两个隔离平台之间形成一半导体区，作为元件的主动区。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽统科技股份有限公司，未经矽统科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/02106883.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
