[发明专利]电容器制程运用于半导体制程的方法

摘要

一种电容器制程运用于半导体制程的方法。基底上具有至少一预定的电容器区域和多数个第一层金属导线；第一内金属介电层覆盖第一层金属导线；多数个第一导体插塞贯穿第一内金属介电层，分别与多数个第一层金属导线电连接；于第一内金属介电层表面上定义形成多数个第二层金属或复晶硅导线，使其分别位于多数个第一导体插塞顶部，位于电容器区域内的第二层金属或复晶硅导线是用作为电容器的下电极板；于第一内金属介电层与多数个第二层金属或复晶硅导线的暴露表面上形成一电容介电层；于电容介电层表面上定义形成电容器的一金属或复晶硅上电极板，使金属或复晶硅上电极板位于电容器区域内且位于下电极板上方。具有降低制造成本、减低制程复杂度、提高优良率及进一步达成积体电路缩小化的功效。

主权项

1、一种电容器制程运用于半导体制程的方法，其特征是：它至少包括下列步骤：(1)提供一基底，其表面上具有至少一电容器区域，且该基底包含有多数个第一层金属导线，第一内金属介电层是覆盖该多数个第一层金属导线，以及多数个第一导体插塞是贯穿该第一内金属介电层，以分别与该多数个第一层金属导线电连接；(2)于该第一内金属介电层表面上定义形成多数个第二层金属导线，该多数个第二层金属导线是分别位于该多数个第一导体插塞顶部，其中位于该电容器区域内的该第二层金属导线是用作为下电极板；(3)于该第一内金属介电层与该多数个第二层金属导线的曝露表面上形成电容介电层；(4)于该电容介电层表面上定义形成上电极板，该上电极板是位于该电容器区域内，且位于该下电极板上方。