[发明专利]表面安装型片式半导体器件和制造方法无效

专利信息
申请号: 02105191.7 申请日: 2002-02-26
公开(公告)号: CN1372320A 公开(公告)日: 2002-10-02
发明(设计)人: 池上五郎 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L23/48;H01L21/768;H01L21/60
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏,方挺
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 可表面安装的片式半导体器件包括形成于绝缘衬底上且彼此电连接的第一和第二导电焊盘区域;形成于第一导电焊盘区域上的导电柱;和在其两侧有电极的半导体片状器件,该半导体片状器件装配于第二导电焊盘区域上。用封装树脂部分封装包括导电柱和半导体片状器件的绝缘衬底的主要区域。导电柱和外电极的上部与从封装树脂露出的半导体片状器件电连接。导电柱和外电极的上表面是彼此大致共面的。
搜索关键词: 表面 安装 型片式 半导体器件 制造 方法
【主权项】:
1.一种片式半导体器件,包括:绝缘衬底;形成于所述绝缘衬底上且彼此电连接的第一和第二导电焊盘区域;形成于所述第一导电焊盘区域上的导电柱;在其两侧有电极的半导体片状器件,其装配于所述第二导电焊盘区域上,在所述半导体片状器件一侧上的所述电极连接到所述第二导电焊盘区域上,在所述半导体片状器件另一侧上的所述电极具有电连接到其上的外电极;和封装树脂部分,封装包括所述导电柱和所述半导体片状器件的所述绝缘衬底的主要区域,其中所述导电柱和所述外电极的上部与从所述封装树脂部分露出的所述半导体片状器件电连接。
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