[发明专利]以低功耗工作的半导体存储器

摘要

本发明的课题是，内部电源电路(100)在低功耗模式下通过经晶体管(214、224、234、244)将内部电源布线(118、128、138、166)的每一个与外部电源布线(90)或接地布线(95)导电性地连接，生成内部电源电压(VDDP、VDDS、VPP、VBB)。与此相对应，由于在低功耗模式下停止对参照电压发生电路(110、120、130、160)、缓冲电路(112、122、132)、内部电源电压发生电路(116、126)和电压升压电路(136)的工作电流的供给，故可削减内部电源电路(100)的功耗。

主权项

1.一种具有通常模式和低功耗模式的半导体存储器，其特征在于：具备：内部电路(10、50、60、70、75、80)，用来执行数据读出工作、数据写入工作和数据保持工作；第1外部电源布线(90)，接受第1外部电源电压(Ext.Vdd)的供给；第2外部电源布线(95)，接受比上述第1外部电源电压低的第2外部电源电压(Vss)的供给；内部电源布线(118、128、138、168)，用来对上述内部电路传递内部电源电压(VDDP、VDDS、VPP、VBB、VCP、VBL)；以及内部电源电路(100)，接受上述第1和第2外部电源电压，生成上述内部电源电压，上述内部电源电路包含：参照电压生成部(110、120、130)，用来接受上述第1和第2外部电源电压，生成与上述内部电源电压的目标电平对应的参照电压；第1电流隔断开关(252)，用来在上述低功耗模式时隔断上述参照电压生成部的工作电流；内部电源电压发生部(116、126、136、160)，在上述通常模式时，根据上述内部电源电压与上述参照电压的比较，将上述内部电源电压维持为上述目标电平，同时在上述低功耗模式时停止工作；以及连接开关(214、224、234、244)，用来在上述低功耗模式时将上述第1和第2外部电源布线的一方与上述内部电源布线导电性地连接。