[发明专利]含碳介电层的制造方法无效
| 申请号： | 02103513.X | 申请日： | 2002-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1437226A | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 李连忠;卢永诚;柯忠祁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/205;C23C16/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘朝华 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种含碳介电层的制造方法，其是利用由氧化气体、稀释气体和以烷基硅烷为气体源所组成的反应气体混合物，进行化学气相沉积制程而成。具有降低整体介电层的介电常数的功效。 | ||
| 搜索关键词： | 含碳介电层 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种含碳介电层的制造方法，其特征是：它包括由一气体源、一氧化气体和一稀释气体所组成的反应气体混合物在一反应室中进行化学气相沉积制程，该气体源为烷基硅烷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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