[发明专利]可避免氟化半导体元件的金属接点的方法

摘要

本发明揭示一种避免氟化半导体元件的金属接点的方法。首先提供一半导体底材，其上具有一金属接点。然后，形成且覆盖一保护层于半导体底材与金属接点上。随后，进行一蚀刻步骤以蚀穿保护层直到暴露金属接点的部分表面为止，并形成一预定开口于保护层中，其中，在等离子体蚀刻步骤完成后，一蚀刻反应层会形成于保护层上。之后，进行一移除步骤以便于去除保护层上的蚀刻反应层，且形成一不具有氟化物的金属接点及接触窗。借此，可避免残留的蚀刻反应物与金属接点于后续工艺步骤中发生反应。此外，对于半导体元件的多重内层结构而言，本发明亦可应用于形成各金属层上方的介层洞或是接触窗的制作过程中。

主权项

1.一种半导体元件的焊垫的形成方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体底材，其上具有一金属接点；形成一第一保护层于该半导体底材与该金属接点上；进行一蚀刻步骤以蚀穿该第一保护层直到暴露该金属接点的部分表面为止，并形成一预定开口蚀穿于该金属接点的部分表面上，其中，该蚀刻步骤完成后，一蚀刻反应层形成于该第一保护层上；以及进行一移除步骤以去除该第一保护层上的该蚀刻反应层，且共形生成一第二保护层于该金属接点的表面上，并形成该焊垫。