[发明专利]半导体器件

摘要

一种半导体器件，具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管，其中该两个晶体管都具有优异的漏电流特性。具有n沟道型场效应晶体管(10)和p沟道型场效应晶体管(30)的半导体器件包括用作涂敷n沟道型场效应晶体管(10)的栅电极(15)的应力控制膜(19)的膜，其膜应力偏移到拉应力。该器件还包括用作涂敷p沟道型场效应晶体管(30)的栅电极(35)的应力控制膜(39)的膜，其膜应力更多的是压应力而不是n沟道型场效应晶体管(10)的膜(19)那样的应力。这样，期望n沟道型和p沟道型晶体管来改善漏电流。因此，整体的特性得到改善。

主权项

1.一种半导体器件，被形成于衬底上，有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管，其特征在于：所述各晶体管包括将栅电极包覆，并延伸至相邻于源-漏区域位置的绝缘膜，所述绝缘膜以氮化硅为主要成分，所述n沟道型场效应晶体管的所述绝缘膜和所述p沟道型场效应晶体管的所述绝缘膜的膜厚有所不同。