[发明专利]场效应晶体管及其制备用的材料和方法有效
申请号: | 01819563.6 | 申请日: | 2001-11-21 |
公开(公告)号: | CN1478309A | 公开(公告)日: | 2004-02-25 |
发明(设计)人: | B·A·布朗;D·C·库珀蒂诺;S·W·李明;J·D·肖费尔德;J·维雷斯;S·G·耶特斯 | 申请(专利权)人: | 艾夫西亚有限公司 |
主分类号: | H01L51/20 | 分类号: | H01L51/20;H01L51/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张元忠;马崇德 |
地址: | 英国曼*** | 国省代码: | 英国;GB |
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摘要: | 一种场效应晶体管,其中连续的半导体层含有:a)有机半导体;和b)有机粘合剂,其固有导电率小于10-6Scm-1,在1,000Hz的介电常数小于3.3,以及制备它的方法,该方法包括:用含有有机半导体和能够发生反应形成粘合剂的材料的液层涂敷基材;和通过使所述材料发生反应而形成粘合剂将液层转化为含有半导体和粘合剂的固体层。 | ||
搜索关键词: | 场效应 晶体管 及其 制备 材料 方法 | ||
【主权项】:
1.一种场效应晶体管,其中连续的半导体层含有:a)有机半导体;和b)有机粘合剂,其固有导电率小于10-6Scm-1,在1,000Hz的介电常数小于3.3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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