[发明专利]碳化硅肖特基器件的外延边端及制造组合该边端的碳化硅器件的方法有效
| 申请号： | 01819560.1 | 申请日： | 2001-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN1663053A | 公开（公告）日： | 2005-08-31 |
| 发明（设计）人： | R·辛 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过包含在肖特基整流器的电压阻挡层上并邻近碳化硅肖特基整流器的肖特基接触处的一碳化硅外延区提供碳化硅肖特基整流器的边端。碳化硅外延层可以有一厚度和一掺杂水平使得在阻挡层表面掺杂的基础上提供碳化硅外延区内的电荷。碳化硅外延区可以形成一与肖特基接触的非欧姆接触。碳化硅外延区可以有一约1.5至约5倍阻挡层厚度的宽度。还提供了有这种边端的肖特基整流器以及制造这种边端和这种整流器的方法。这种方法还可以有助于提高所生产器件的性能并可简化制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 肖特基 器件 外延 制造 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅肖特基整流器，它包括：一层具有预定表面掺杂水平的碳化硅电压阻挡层；一在碳化硅电压阻挡层上的肖特基接触；以及在碳化硅电压阻挡层上并邻近肖特基接触的一碳化硅外延终端区，其中碳化硅外延区具有一厚度和一掺杂水平，它在碳化硅外延区内提供与阻挡层的表面掺杂有一预定关系的预定电荷。
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