[发明专利]GaN基的半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 01817506.6 | 申请日： | 2001-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1471733A | 公开（公告）日： | 2004-01-28 |
| 发明（设计）人： | S·巴德;D·埃泽尔特;B·哈恩;V·海勒 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15;H01L21/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 苏娟;赵辛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有多层GaN基层的半导体元件的制造方法，这种半导体元件最好用来产生辐射。其中多层的GaN基层(4)生长在一个复合衬底上，该复合衬底具有一个衬底本体(1)和一层中间层(2)，而且衬底本体(1)的热膨胀系数接近于或最好大于GaN基各层(4)的热膨胀系数，GaN基各层(4)被淀积在中间层(2)上。该中间层和衬底本体最好通过晶片键合方法进行连接。 | ||
| 搜索关键词： | gan 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.具有GaN基若干层(4)的一种半导体元件的制造方法，其特征为，GaN基各层(4)生长在一个复合衬底上，该复合衬底具有一个衬底本体(1)和一中间层(2)，其中衬底本体(1)的热膨胀系数接近于或最好大于GaN基各层(4)的热膨胀系数，而GaN基各层(4)则淀积在中间层(2)上。
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