[发明专利]具有晕圈源极/漏极扩散的芯片上的无晕圈非整流接触有效
| 申请号： | 01810810.5 | 申请日： | 2001-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN1434983A | 公开（公告）日： | 2003-08-06 |
| 发明（设计）人： | J·卡尔普;J·纳亚克;W·劳施;M·希罗尼;S·沃尔德曼;N·萨姆德默 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 李峥,于静 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体芯片包含具有整流接触扩散和非整流接触扩散的半导体基底。晕圈扩散邻近整流接触扩散，而无晕圈扩散邻近非整流接触扩散。为了提高击穿抵抗力，整流接触扩散可以是FET的源极/漏极扩散。非整流接触扩散可以是FET体接触、横向二极管接触或电阻或电容接触。避免非整流接触的晕圈，降低了串联电阻并且改进了器件特征。在具有邻近扩散的晕圈的器件的芯片上的另一个实施例中，无晕圈扩散邻近横向二极管的整流接触扩散，从而显著改进了二极管的理想度并且提高了击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 晕圈源极 扩散 芯片 无晕圈非 整流 接触 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片，包括：半导体基底；所述基底中的整流接触扩散和非整流接触扩散；以及邻近所述整流接触扩散的晕圈扩散和邻近所述非整流接触扩散的无晕圈扩散。
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