[发明专利]高速凹槽双扩散金属氧化物半导体有效
| 申请号： | 01805809.4 | 申请日： | 2001-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1423840A | 公开（公告）日： | 2003-06-11 |
| 发明（设计）人： | 石甫渊;苏根政 | 申请（专利权）人： | 通用半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 张天舒,谢丽娜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种凹槽栅DMOS(1)和相应制造方法,其中栅极材料包括硅化物或耐熔金属层(39)。BPSG层可以形成于栅极结构之上。而且,栅极的一部分(61)可以置于源区(63)之上。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 凹槽 扩散 金属 氧化物 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种形成凹槽DMOS的方法，包括步骤：提供一种产品，其包括具有第一导电类型的衬底和具有第二导电类型的体区，所述产品具有延伸穿过所述体区和所述衬底的凹槽；在所述凹槽中淀积栅氧化层；在所述凹槽中形成栅，所述栅具有至少一层，该层包括选自多晶硅化物和耐熔金属组成的组的材料；和在所述体区中形成源区；其中，所述源区形成于栅氧化层淀积之后。
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