[发明专利]在单面上带块形连接的垂直导电倒装芯片式器件

摘要

一种倒装芯片式MOSFET结构具有垂直导电半导体管芯(30)，其中，管芯的下层同管芯顶部上的漏极(32)通过扩散散热片或导通电极连接。源极(31)和栅极(33，34)也在管芯的上表面上形成，并且具有连接电路板的共面焊球(41，43，43)。结构具有芯片级封装尺寸。当安装管芯时转换的管芯背面可粗糙化或可以金属化以改进从管芯去除热量。可并排地将几个分离的MOSFET结合进管芯，以形成同具有焊球连接体的顶面上的源极和漏极分别连接的一系列MOSFET连接点。多个焊球连接体可为顶部电极提供并被设计在相应的平行行中。管芯可具有拉长矩形的形状，焊球绕着矩形的对角线呈对称地分布。

主权项

1.一种倒装芯片式半导体器件，其特征在于，包含具有平行的第一和第二主面的硅晶片；在所述晶片内的至少一个P区和至少一个N区，这两个区在所述硅晶片内的PN结处相交；在所述第一主面上形成并彼此绝缘且分别同所述的P区和所述的N区连接的第一和第二共面的水平隔开和金属化的区域；有意对所述的第二主面粗糙化以确定用于改进所述半导体器件的对流冷却的延展面积。