[发明专利]在单面上带块形连接的垂直导电倒装芯片式器件

权利要求书

1.一种倒装芯片式半导体器件，其特征在于，包含具有平行的第一和第二主面的硅晶片；在所述晶片内的至少一个P区和至少一个N区，这两个区在所述硅晶片内的PN结处相交；在所述第一主面上形成并彼此绝缘且分别同所述的P区和所述的N区连接的第一和第二共面的水平隔开和金属化的区域；有意对所述的第二主面粗糙化以确定用于改进所述半导体器件的对流冷却的延展面积。

2.一种倒装芯片式半导体器件，其特征在于，包含具有平行的第一和第二主面的硅晶片；在所述晶片内的至少一个P区和至少一个N区，这两个区在所述硅晶片内的PN结处相交；在所述第一主面上形成并与另一个主面绝缘且分别同所述的P区和所述的N区连接的第一和第二共面的水平隔开和金属化的区域；以及延展在所述第二主面上的金属化底层。

3.权利要求1的器件，其特征在于，包括在所述第一主面之上的第三金属化层，该第三金属化层与所述的第一和第二金属化层共面，且同它们水平隔开；所述的第一、第二和第三金属化层分别包含MOS门控器件的源极、漏极和栅极。

4.权利要求2的器件，其特征在于，包括在所述第一主面之上的第三金属化层，该第三金属化层与所述的第一和第二金属化层共面，且同它们水平隔开；所述的第一、第二和第三金属化层分别包含MOS门控器件的源极、漏极和栅极。

5.权利要求1的器件，其特征在于，还包括与每个所述的金属化层连接的至少一个连接块。

6.权利要求2的器件，其特征在于，还包括与每个所述的金属化层连接的至少一个连接块。

7.权利要求3的器件，其特征在于，还包括与每个所述的金属化层连接的至少一个连接块。

8.权利要求4导器件，其特征在于，还包括与每个所述的金属化层连接的至少一个连接块。

9.权利要求2的器件，其特征在于，所述的金属化底层实质上比所有所述的第一和第二金属化层都厚。

10.权利要求4的器件，其特征在于，所述的金属化底层实质上比所有所述的第一和第二金属化层都厚。

11.权利要求6的器件，其特征在于，所述的金属化底层实质上比所有所述的第一和第二金属化层都厚。

12.权利要求8的器件，其特征在于，所述的金属化底层实质上比所有所述的第一和第二金属化层都厚。

13.权利要求5的器件，其特征在于，多个连接块与每个所述的第一和第二金属化层连接；所述的多个连接块同沿着第一直行排列的所述第一金属化层连接；所述的多个连接块同沿着第二直行排列的所述第二金属化层连接。

14.权利要求13的器件，其特征在于，所述的第一和第二行彼此互相平行。

15.权利要求6的器件，其特征在于，多个连接块同每一个所述的第一和第二金属化层连接；所述的多个连接块同所述的沿着第一直行排列的第一金属化层连接；所述的多个连接块同所述的沿着第二直行排列的第二金属化层连接。

16.权利要求15的器件，其特征在于，所述的第一和第二行彼此互相平行。

17.权利要求13的器件，其特征在于，包括在所述第一主面之上的第三金属化层，该第三金属化层与所述的第一和第二金属化层共面，且同它们水平隔开；所述的第一、第二和第三金属化层分别包含MOS门控器件的源极、漏极和栅极。

18.权利要求14的器件，其特征在于，包括在所述第一主面之上的第三金属化层，该第三金属化层与所述的第一和第二金属化层共面，且同它们水平隔开；所述的第一、第二和第三金属化层分别包含MOS门控器件的源极、漏极和栅极。

19.一种倒装芯片式半导体器件，其特征在于，包含具有平行的第一和第二主面的硅晶片；在所述晶片内的至少一个P区和至少一个N区，这两个区在所述硅晶片内的PN结相交；在所述第一主面上形成并彼此绝缘且分别同所述的P区和所述的N区连接的第一和第二共面的水平隔开和金属化的区域；多个连接于每一个所述第一和第二金属化层的连接块；多个连接于沿着第一直行排列的所述第一金属化层的连接块；所述的多个连接于沿着第二直行排列的所述第二金属化层的连接块。