[发明专利]磁电转换元件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 01800841.0 申请日: 2001-04-05
公开(公告)号: CN1366716A 公开(公告)日: 2002-08-28
发明(设计)人: 福中敏昭 申请(专利权)人: 旭化成电子株式会社
主分类号: H01L43/02 分类号: H01L43/02;H01L43/04;H01L43/06;H01L43/08;H01L43/12;H01L43/14;G01R33/07;G01R33/09
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供了磁电转换元件及其制造方法。其侧面上形成有导电层(10)的绝缘性基板的上表面上有感磁部(3)和内部电极(2),该绝缘性基板的绝缘部(9)和导电层是由烧结体来形成,该导电层的烧结体以1600℃以上的高熔点金属和陶瓷粉为主要成分,高熔点金属以10%以上90%以下的比率包含在导电层的烧结体中,因此可以提供极其小型、薄型而且不破坏元件就能进行安装时的是否良好的判定的磁电转换元件。
搜索关键词: 磁电 转换 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种磁电转换元件,其特征在于,在侧面上形成有导电层的绝缘性基板的上表面上有感磁部和内部电极,绝缘部和前述导电层由烧结体来形成,前述导电层的烧结体以1600℃以上的高熔点金属和陶瓷粉为主要成分,该高熔点金属以10%以上90%以下的比率包含在该导电层的烧结体中。
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