[发明专利]硅片及硅单晶的制造方法有效
| 申请号： | 01800727.9 | 申请日： | 2001-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1365403A | 公开（公告）日： | 2002-08-21 |
| 发明（设计）人： | 星亮二;布施川泉;太田友彦;前田茂丸 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 黄剑锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅片及硅单晶的制造方法,对使用CZ法在V－多区域成为优势的条件下所培养的硅单晶棒进行切割得到镜面硅片,用粒子计数器计数粒子时,0.1μm尺寸以上的计数数目为1个/cm2以下。由此,提供一种使COP等缺陷的密度与尺寸更加减低,提高装置特性优良的高品质硅片的生产性,并减低成本的制造技术。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 硅单晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅片，其使用佐克拉斯基法，将在V-多区域成为优势的条件下所培养的硅单晶棒切割而得到，其特征为：使用粒子计数器计数粒子时，0.10μm尺寸以上的计数数目为1个/cm2以下。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于信越半导体株式会社，未经信越半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01800727.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：钛－铁系复合氧化物颜料及其生产方法
- 下一篇：多层热收缩密封膜
