[实用新型]高频可变衰减器无效

专利信息
申请号: 01239034.8 申请日: 2001-04-25
公开(公告)号: CN2473761Y 公开(公告)日: 2002-01-23
发明(设计)人: 伍颂谊 申请(专利权)人: 伍颂谊
主分类号: H01P1/22 分类号: H01P1/22
代理公司: 上海专利商标事务所 代理人: 竺路玲
地址: 200336*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 高频可变衰减器,包括一绝缘壳体及封于其内的芯体;一包覆于绝缘壳体外面的接地脚,接地脚的横截面为一冂形,其三个贴面分别与绝缘壳体的正面及二侧面邻接,各接地面分别为一下部开口的金属门形框架,其中,接地脚的正接地面门形框架的内侧最大间距5.5—7.5mm,侧接地面门形框架的内侧最大间距8—10mm,门形框架的高12.5—18mm;门形框架上设有加强筋;接地面的二侧面与绝缘壳之间分别留有间隙。可保持电路匹配良好,不会引起信号反射及辐射。
搜索关键词: 高频 可变 衰减器
【主权项】:
1.一种高频可变衰减器,包括:一绝缘壳体(1)及封于其内的一芯体(2),该芯体的二侧引脚(21)由绝缘壳体穿出;一包覆于绝缘壳体1外面、截面为一冂形的金属接地脚(3),其三个接地面分别与绝缘壳体的正面及二侧面邻接,所述接地面的形状为下部开口的门形框架,在该接地脚的四角下端分别延伸出一接地端(31),其特征在于:所述接地脚的正接地面(33)门形框架的两相对边的内侧间距(L1)为5.5-7.5mm,侧接地面(32)门形框架的内侧间距(L2)为8-10mm,各接地面门形框架的高(H)为12.5-18mm;所述门形框架上设有加强筋(4);所述接地脚的二侧接地面内壁与绝缘壳外壁之间分别留有间隙(5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于伍颂谊,未经伍颂谊许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/01239034.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top