[发明专利]电容测量电路与方法有效
| 申请号： | 01143629.8 | 申请日： | 2001-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1162713C | 公开（公告）日： | 2004-08-18 |
| 发明（设计）人： | 谢宗轩;张耀文;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R27/26 | 分类号： | G01R27/26 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马莹;邵亚丽 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电容测量电路，其包括一PMOS元件、一NMOS元件、一第一端子以及一第二端子，以便测量一电容元件的电容值。在本发明中，PMOS元件的漏极与NMOS元件的漏极电连接，第一端子的一端电连接至PMOS元件的漏极与NMOS元件的漏极间，而第一端子的另一端电连接至电容元件的一侧，第二端子的一端则电连接至电容元件的另一侧。本发明亦提供一种利用以上述电容测量电路来测量电容的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 测量 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电容测量电路，用于测量一电容元件的电容值，该电容测量电路包含：一PMOS元件，该PMOS元件的源极电连接至一第一电压源，该PMOS元件的栅极电连接至一第二电压源；一NMOS元件，该NMOS元件的漏极电连接至该PMOS元件的漏极，该NMOS元件的栅极电连接至一第三电压源，该NMOS元件的源极电连接至一接地端；一第一端子，其一端电连接至该PMOS元件的漏极与该NMOS元件的漏极间，其另一端电连接至该电容元件的一侧；以及一第二端子，其一端电连接至该电容元件的另一侧，其另一端电连接至一第四电压源。
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