[发明专利]凸块形成方法、半导体装置及其制造方法和半导体芯片有效
| 申请号： | 01141243.7 | 申请日： | 2001-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN1359147A | 公开（公告）日： | 2002-07-17 |
| 发明（设计）人： | 松岛文明;太田勉;间箇部明 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/28;H01L21/60;H01L23/48;H01L23/52 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 涉及具有高可靠性、适合于狭窄间距的凸块形成方法、半导体装置及其制造方法、半导体芯片、电路基板及电子设备。本发明的凸块形成方法包括以在垫片12上具有贯通孔22的方式形成抗蚀剂层20、配合贯通孔22的形状形成与垫片12电连接的金属层(凸块34)的工序,把金属层(凸块34)形成为具有用于容纳焊料40的区域(凹部36)的形状。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 半导体 装置 及其 制造 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种凸块形成方法，包括：以具有贯通孔的方式在垫片上形成抗蚀剂层、配合贯通孔的形状形成与所述垫片电连接的金属层的工序，把所述金属层形成为具有用于容纳焊料的区域的形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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