[发明专利]制造用于半导体装置的圆柱型电容器的方法有效
| 申请号： | 01140989.4 | 申请日： | 2001-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN1365142A | 公开（公告）日： | 2002-08-21 |
| 发明（设计）人： | 金弘基 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造半导体装置的圆柱型电容器的方法,包括在包括导电区的半导体基板上顺序形成第一绝缘层、第一刻蚀终止层、第二绝缘层和第二刻蚀终止层;刻蚀第二刻蚀终止层、第二绝缘层和第一刻蚀终止层的一部分而形成第二刻蚀终止层构图、第二绝缘层构图和第一刻蚀终止层构图,形成显露第一绝缘层一部分的表面的存储结孔;在存储结孔内壁上形成隔离衬;将第二刻蚀终止层构图和隔离衬用作掩膜刻蚀暴露的第一绝缘层部分而形成第一绝缘层构图,形成用于显露导电区的结接触孔;除去第二刻蚀终止层构图和隔离衬;在存储结孔和结接触孔的表面上形成底电极;在底电极上形成介电层和上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 用于 半导体 装置 圆柱 电容器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造圆柱型半导体装置电容器的方法，包括：在包含导电区的半导体基板上顺序形成第一绝缘层、第一刻蚀终止层、第二绝缘层、和第二刻蚀终止层；通过刻蚀第二刻蚀终止层、第二绝缘层和第一刻蚀终止层的一部分而形成第二刻蚀终止层构图、第二绝缘层构图和第一刻蚀终止层构图，以形成用于显露第一绝缘层一部分的表面的存储结孔；在存储结孔的内壁上形成隔离衬；通过将第二刻蚀终止层构图和隔离衬用作掩膜来刻蚀第一绝缘层的暴露部分而形成第一绝缘层构图，以形成用于显露导电区的结接触孔；除去第二刻蚀终止层构图和隔离衬；在存储结孔和结接触孔的被显露表面上形成底电极；以及在底电极上形成介电层和上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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