[发明专利]液态膜干燥方法及液态膜干燥装置无效
| 申请号： | 01140672.0 | 申请日： | 2001-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1347136A | 公开（公告）日： | 2002-05-01 |
| 发明（设计）人： | 江间达彦;伊藤信一;奥村胜弥 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/30;G03F7/16 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了液态膜干燥方法及干燥装置。所述干燥方法包括以下工序使具有贯通孔204的整流板200以不接触液态膜的距离靠近该被处理基板上方的工序,使整流板200旋转从而使被处理基板101的上方与整流板200的下表面之间产生气流的工序,使含有溶质的液态膜与气流接触、将液态膜中的溶剂除去,在被处理基板101上形成由前述溶质构成的固相膜的工序。使用该液态膜干燥方法,可获得良好的膜厚均匀性,同时对处理时间进行控制以提高生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 液态 干燥 方法 装置 | ||
【主权项】：
1、液态膜干燥方法，其特征为，包括以下工序：使具有一个以上的贯通孔的整流板以不接触形成于被处理基板上的含有溶质的液态膜的距离靠近该被处理基板上方的工序，使前述整流板旋转，使该被处理基板上方与该整流板的下表面之间产生气流的工序，使液态膜与前述气流接触除去前述液态膜中的溶剂，在前述被处理基板上形成由前述溶质构成的固相膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
