[发明专利]液态膜干燥方法及液态膜干燥装置无效
申请号: | 01140672.0 | 申请日: | 2001-09-20 |
公开(公告)号: | CN1347136A | 公开(公告)日: | 2002-05-01 |
发明(设计)人: | 江间达彦;伊藤信一;奥村胜弥 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/30;G03F7/16 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液态 干燥 方法 装置 | ||
技术领域
本发明涉及在半导体、液晶器件制造技术中的用于涂膜制造方法中的液态膜干燥方法及液态膜干燥装置。
背景技术
迄今为止,在被处理基板上形成保护膜等含有溶剂的液态膜之后,在该液态膜的干燥工艺中,一直采用简单的在热板上对被处理基板加热的烘烤法,以及在连接到真空泵的腔室内进行减压处理的减压干燥法。
但是,在烘烤法中,由于溶剂的挥发对温度非常敏感,所以产生膜厚的起伏,存在着所形成的膜厚的均匀性不好的问题。
此外,在使用真空泵的减压干燥法中,在接近溶剂的饱和蒸汽压时,要花费很长时间除去溶剂,造成生产率下降的问题。此外,这种生产率受溶剂的物理性质和滴下量的影响,不能控制处理时间。
发明内容
如上所述,在使用热板采用烘烤法干燥液态膜的工艺中,存在着膜厚不均匀的问题。此外,在减压干燥法中,存在着不能对处理时间进行控制造成生产率下降的问题。
本发明的目的是提供一种在液态膜干燥工艺中,在获得良好的膜厚的均匀性的同时还能够对处理时间进行控制从而提高生产率的液态膜干燥方法及液态膜干燥装置。
为达到上述目的,本发明采用以下的结构。
(1)本发明(权利要求1)的特征为,在除去形成于被处理基板上的含有溶质的液态膜中的溶剂的液态膜干燥方法中,包括以下工序:使具有一个以上的贯通孔的整流板以不与前述液态膜接触的距离靠近该被处理基板的上方的工序,使前述整流板旋转、在该被处理基板的上方与该整流板下表面之间产生气流的工序,使液态膜与前述气流接触除去前述液态膜中的溶剂、由前述溶质在前述被处理基板上形成固相膜的工序。
本发明优选形式如下所述。
(a)向前述被处理基板与前述整流板下表面之间导入气流,利用使前述整流板的旋转、在前述被处理基板与前述整流板下表面之间产生的压力差进行。
(b)使前述被处理基板与前述整流板下表面之间产生的气流的方向随时间变化。使前述被处理基板与前述整流板下表面之间的压力与前述整流板上表面的压力之差变化,使前述被处理基板与前述整流板下表面之间产生的气流的方向随时间变化。
(c)使前述整流板的中心轴与前述被处理基板的中心不同。使前述的不同的量随时间改变。使前述被处理基板向与前述整流板的旋转方向相反的方向旋转。
(2)本发明(权利要求8)的特征为,在除去形成于被处理基板上的含有溶质的液态膜中的溶剂的液态膜干燥方法中,包括以下工序:使整流板以不接触前述液态膜的距离靠近该被处理基板的正上方的工序,将前述整流板与前述被处理基板之间及周围维持在减压状态的工序,使前述整流板旋转、在前述被处理基板上方与该整流板下表面之间产生气流的工序,使前述液态膜接触前述气流、除去液态膜中的溶剂、在前述被处理基板上由前述溶质形成固相膜的工序。
(3)根据本发明(权利要求9)的液态膜的干燥装置,其特征为,它具有以下部分:与表面上形成含有溶剂的液态膜的被处理基板对向配置的、具有一个以上的贯通孔的整流板,使该整流板旋转的旋转驱动部,与前述被处理基板的反向侧的前述整流板的贯通孔的开口部侧对向配置的气流控制板,使前述整流板与前述被处理基板的距离以及前述整流板与前述气流控制板的距离相对变化的上下方向驱动部。
(4)本发明(权利要求10)的特征为,它具备有:与表面上形成含有溶剂的液态膜的被处理基板对向配置的,具有一个以上贯通孔的整流板,使该整流板旋转的旋转驱动部,以及向前述贯通孔供应气流的外部气流发生器。以上两个发明的优选形式如下所述。
(a)进一步具有将前述被处理基板和整流板容纳在内部的减压腔室以及连接到前述减压腔室上的、对该减压腔室内部进行排气的真空泵。
(b)在前述整流板上具有多个贯通孔,其配置方式为:在旋转时各贯通孔随时间以几乎相同的比例通过被处理基板上的任意部分。
本发明通过上述结构具有以下的作用和效果。
通过在被处理基板的上方高速旋转整流板,在基板上产生均匀的气流的流动,可以迅速地制成均匀的涂膜。另外,通过适当设定整流板的转数以及被处理基板与整流板之间的距离,不受溶剂的物理性质及滴下量的左右,可进行处理时间的控制,能够提高生产率。
通过把整流板旋转时所产生的整流板与基板之间的减压状态作为驱动力导入气流,可提高干燥工艺的效率。
通过使气流的方向随时间变化,可以抑制沿气流的流动方向的膜厚分布的梯度,可形成更均匀的膜。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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