[发明专利]液态膜干燥方法及液态膜干燥装置无效
申请号: | 01140672.0 | 申请日: | 2001-09-20 |
公开(公告)号: | CN1347136A | 公开(公告)日: | 2002-05-01 |
发明(设计)人: | 江间达彦;伊藤信一;奥村胜弥 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/30;G03F7/16 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液态 干燥 方法 装置 | ||
1、液态膜干燥方法,其特征为,包括以下工序:
使具有一个以上的贯通孔的整流板以不接触形成于被处理基板上的含有溶质的液态膜的距离靠近该被处理基板上方的工序,
使前述整流板旋转,使该被处理基板上方与该整流板的下表面之间产生气流的工序,
使液态膜与前述气流接触除去前述液态膜中的溶剂,在前述被处理基板上形成由前述溶质构成的固相膜的工序。
2、如权利要求1所述的液态膜干燥方法,其中,
利用前述整流板旋转造成的前述被处理基板与前述整流板下表面之间产生的压力差,向前述被处理基板与前述整流板下表面之间导入气流。
3、如权利要求1所述的液态膜干燥方法,其特征为,使前述被处理基板上方与前述整流板的下表面之间产生的气流的方向随时间变化。
4、如权利要求3所述的液态膜干燥方法,其特征为,
使前述被处理基板与前述整流板下表面之间的压力和前述整流板上表面处的压力之差变化,
使前述被处理基板的上方与前述整流板下表面之间产生的气流方向随时间发生变化。
5、如权利要求1所述的液态膜干燥方法,其特征为,使前述整流板的中心轴与前述被处理基板的中心偏置。
6、如权利要求5所述的液态膜干燥方法,其特征为,使前述的偏置量随时间变化。
7、如权利要求5所述的液态膜干燥方法,其特征为,使前述被处理基板向与前述整流板的旋转方向相反的方向旋转。
8、液态膜的干燥方法,其特征为包括以下工序:
使整流板以不接触形成于被处理基板上的含有溶质的液态膜的距离靠近该被处理基板正上方的工序,
将前述整流板与前述被处理基板之间及其周围保持在减压状态的工序,
使前述整流板旋转,在前述被处理基板上方与该整流板的下表面之间产生气流的工序,
使前述液态膜与前述气流接触除去液态膜中的溶剂,在前述被处理基板上形成由前述溶质构成的固相膜的工序。
9、液态膜干燥装置,其特征在于具备有以下部件:
与表面上形成含有溶剂的液态膜的被处理基板对向配置的、具有一个以上的贯通孔的整流板,
使该整流板旋转的旋转驱动部,
与前述被处理基板的反向侧的前述整流板的贯通孔的开口部侧对向配置的气流控制板,
使前述整流板与前述被处理基板的距离以及前述整流板与前述气流控制板的距离相对变化的上下方向驱动部。
10、液态膜干燥装置,其特征在于具备以下部件:
与表面上形成含有溶剂的液态膜的被处理基板对向配置的具有一个以上贯通孔的整流板,
使该整流板旋转的旋转驱动部,
向前述贯通孔供应气流的外部气流发生器。
11、如权利要求9或10所述的液态膜干燥装置,其特征在于进一步具有:
将前述被处理基板及整流板容纳于其内的减压腔室,
与前述减压腔室连接、对该腔室内部排气的真空泵。
12、如权利要求9或10所述的液态膜干燥装置,其特征为,
在前述整流板上具有多个贯通孔,
各贯通孔以在旋转时随着时间以几乎相同的比例通过被处理基板上的任意部分的方式配置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造