[发明专利]高频薄膜本体滤波器的制法及其装置有效
| 申请号： | 01131052.9 | 申请日： | 2001-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN1404219A | 公开（公告）日： | 2003-03-19 |
| 发明（设计）人： | 李传英 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/00 | 分类号： | H03H3/00;H03H9/46;H01L21/00;H01L27/01 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘领弟 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种高频薄膜本体滤波器的制法及其装置。为提供一种减低制程的复杂度、提高产能、降低成本的集成电路基本组件的制法及其装置，提出本发明，本发明高频薄膜本体滤波器的制法包括于矽基底的上表面形成矽氧化层、于矽氧化层上依序形成第一金属层、压电材料层、第二金属层；定义上电极板及压电层于第一金属层形成孔洞及于矽氧化层形成凹室；本发明高频薄膜本体滤波器装置包括矽基底、设于矽基底上方形成凹室的部分区域呈不连续的矽氧化层、设于部分区域呈不连续矽氧化层上方以呈略悬空状的下电极板、设于下电极板上的压电层及设于压电层上的上电极板；下电极板上位于上电极板及压电层的外周围设有复数贯穿的孔洞。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 薄膜 本体 滤波器 制法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1、一种高频薄膜本体滤波器的制法，其特征在于它包括：形成本体：于矽基底的上表面形成矽氧化层、于矽氧化层上依序形成第一金属层、压电材料层、第二金属层；定义上电极板及压电层：系经由微影、蚀刻等方法，除去部分第二金属层及压电材料层，以形成上电极板及压电层；形成孔洞：于第一金属层上且位于上电极板及压电层的外周围处经由微影、蚀刻形成至少一贯穿第一金属层的孔洞；形成凹室：经第一金属层形成的孔洞蚀刻第一金属层下方的矽氧化层，直到可令基底与第一金属层形成间隙。
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