[发明专利]三维只读存储器集成电路有效
| 申请号： | 01129103.6 | 申请日： | 2001-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN1423336A | 公开（公告）日： | 2003-06-11 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 张国飙 |
| 主分类号： | H01L27/112 | 分类号： | H01L27/112;H01L21/82;H01L21/8246 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610051 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种三维只读存储器(3D－ROM)集成电路。它充分利用了3D－ROM元不占衬底面积,从而能与较为复杂的周边电路、RAM、可写存储器等衬底电路集成的优势,提高了3D－ROM的速度、成品率和其所载软件的可升级性。同时,本发明为进一步提高3D－ROM的容量、成品率,提供了新的3D－ROM元的材料、结构和工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 只读存储器 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种三维只读存储器(3D-ROM)集成电路(0000)，其特征在于含有：一衬底电路(001)，该衬底电路含有至少一数据读出放大器(43c)，该数据读出放大器有第一电源(Vdd)和第二电源(GND)；至少一堆叠在该衬底电路(001)上的至少一3D-ROM层(100)，该3D-ROM层含有至少一字线(20c)、至少一数据位线(30a/30c)和至少一3D-ROM元(1cc)；该数据位线(30c)与该数据读出放大器(43c)相连，在读周期的第一部分时间里与第三电源(14)短接，该第三电源的大小介于第一和第二电源之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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