[发明专利]化合物半导体开关电路装置有效
| 申请号： | 01125560.9 | 申请日： | 2001-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN1348218A | 公开（公告）日： | 2002-05-08 |
| 发明（设计）人： | 浅野哲郎;平井利和 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/02;H04B1/04;H04B1/44;H03K17/693 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种化合物半导体开关电路装置,原来为了尽可能减小插入损失,采用了将栅极宽度Wg取得大一些、降低FET的导通电阻的方法。此外,还将焊盘和相邻布线层之间的距离取为20μm以上。对2.4GHz以上的高频,设计时着眼于确保隔离度而省去分路FET,使用逆向思维方法,从两方面去考虑过去采用的降低FET的导通电阻的效果。即,在化合物半导体开关电路装置中,将开关用的FET的栅极宽度设定在700μm以下来减小其尺寸,同时,在焊盘周边部设置高浓度区40,用小的空间来确保高频信号的耦合和耐压。结果,可以大幅度缩小芯片的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 开关电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种化合物半导体开关电路装置，在沟道层的表面形成设有源极、栅极和漏极的第1和第2FET，将两FET的源极或漏极作为公共输入端子，将两FET的漏极或源极作为第1和第2输出端子，对与两FET的栅极连接的控制端子加控制信号，使某一FET导通，并在上述公共输入端子和上述第1、第2输出端子的某一方之间形成信号通路，其特征在于：在成为上述公共输入端子、上述第1、第2输出端子、上述控制端子的焊盘周边部的下面设置高浓度区，使其与直接设在半绝缘性衬底上的化合物半导体开关电路装置的其它电路图形之间的距离小于20μm。
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