[发明专利]存储阵列的保护电路有效
| 申请号： | 01124403.8 | 申请日： | 2001-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1399336A | 公开（公告）日： | 2003-02-26 |
| 发明（设计）人： | 周铭宏;陈家兴;黄俊仁;刘承杰 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L27/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种保护电路，它至少包括一第一二极管，以具有一第一导电性的一重掺杂质扩散至具有一第二导电性的一第一区域形成第一二极管。一集成电路连接至第一二极管，此集成电路传递一输入信号至第一二极管。一第二二极管以背靠背方式与第一二极管相连接，以具有第二导电性的一重掺杂质扩散至具有第一导电性的一第二区域与第一区域形成所述第二二极管。串联的第一与第二二极管可以在制程中排除可能造成损害的电荷。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 阵列 保护 电路 | ||
【主权项】：
1.一种保护电路，其特征在于，至少包括：一第一二极管，以具有一第一导电性的一重掺杂质扩散至具有一第二导电性的一第一区域形成所述第一二极管；一集成电路连接至所述第一二极管，所述集成电路传递一输入信号至所述第一二极管；及一第二二极管以背靠背方式与所述第一二极管相连接，以具有所述第二导电性的一重掺杂质扩散至具有所述第一导电性的一第二区域与所述第一区域形成所述第二二极管。
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