[发明专利]快闪存储器位线上的电性绝缘层的制造方法

摘要

一种快闪存储器位线上电性绝缘层的制造方法，该制造方法至少包括下列步骤在基材上依序形成导电层、掩模层以及覆盖层，并进行蚀刻平板印刷法蚀刻，以形成多个间隔；接着在基材上形成介电层，之后在介电层上形成平坦化材质层；然后蚀刻平坦化材质层与介电层，且对平坦化材质层的蚀刻率小于对介电层的蚀刻率；随即蚀刻介电层以清除覆盖层上的介电层，且介电层的蚀刻率大于覆盖层的蚀刻率，并在间隔内形成间隔介电层；接着蚀刻移除覆盖层，且介电层的蚀刻率小于掩模层的蚀刻率，使得间隔介电层具有平滑顶端与斜角侧边；最后移除掩模层并留下间隔介电层，以形成电性绝缘层。

主权项

1.一种快闪存储器位线上的电性绝缘层的制造方法，该制造方法至少包含下列步骤：提供一半导体基材，该半导体基材上设有多个栅极堆栈，而各个栅极堆栈设有一导电层、一掩膜层以及一覆盖层；形成一介电层以覆盖该栅极堆栈，并填满该间隔，且该介电层高于该覆盖层；形成一平坦化材质层于该介电层上，以产生平坦化表面；进行一第一蚀刻步骤，蚀刻该介电层以完全清除该覆盖层上的该介电层，同时在该间隔上形成一间隔介电层；进行一第二蚀刻步骤，移除该覆盖层且该介电层的蚀刻率小于该掩膜层的蚀刻率，使得该间隔介电层具有平滑顶端与斜角侧边，以避免沉积薄膜时产生应力集中的效应；以及移除该掩膜层并留下间隔介电层，以形成该电性绝缘层。