[发明专利]介电陶瓷组合物及其制造方法和在通讯设备器件中的应用无效
| 申请号： | 01117414.5 | 申请日： | 2001-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1320576A | 公开（公告）日： | 2001-11-07 |
| 发明（设计）人： | 原田健史;加贺田博司;胜村英则 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/01 | 分类号： | C04B35/01;C04B35/622;C03C3/00;H01B3/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种介电陶瓷组合物,其中至少包括第一种成分,其中包含Al2O3、MgO和ROa(R是至少一种选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb和Gd的元素,a是根据R的价数按化学当量确定的值);第二种成分SiO2;和第三种成分,其中包含选自SiO2和B2O3中至少一种的含两种或多种成分的玻璃组合物。在高频带,例如在微波和厘米波等范围内,介电陶瓷组合物的强度高而且稳定,其介电常数小、损耗低、和电容温度系数小。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 组合 及其 制造 方法 通讯设备 器件 中的 应用 | ||
【主权项】：
1．一种介电陶瓷组合物，其中至少包括：第一种成分，其中包括Al2O3、MgO和ROa，其中R是至少一种选自La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb和Gd的元素，a是根据R的价数按化学当量确定的值；第二种成分，SiO2；和第三种成分，其中包含选自SiO2和B2O3中至少一种的含两种或多种成分的玻璃组合物。
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