[发明专利]半导体器件及其驱动方法有效
| 申请号： | 01116385.2 | 申请日： | 2001-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN1317830A | 公开（公告）日： | 2001-10-17 |
| 发明（设计）人： | 木村肇 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈霁,梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其驱动方法，其能够放大信号幅值并增加输入/输出关系为线性的工作范围，同时还能够防止信号写入时间变长。其中在具有放大晶体管和偏压晶体管的半导体器件及其驱动方法中，提供放电晶体管并执行预放电。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1．一种半导体器件，包括：放大晶体管；偏压晶体管；放大侧电源线；偏压侧电源线；偏压信号线；放电晶体管；和放电电源线，其中放大晶体管的漏极端子连接到放大侧电源线，偏压晶体管的源极端子连接到偏压侧电源线，放大晶体管的源极端子连接到偏压晶体管的漏极端子，偏压晶体管的栅极端子连接到偏压信号线，放大晶体管的栅极端子起输入端子的作用，放大晶体管的源极端子起输出端子的作用，并且输出端子和放电电源线中的一个连接到放电晶体管的源极端子，而另一个连接到放电晶体管的漏极端子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
