[发明专利]半导体器件及其驱动方法有效
申请号: | 01116385.2 | 申请日: | 2001-04-12 |
公开(公告)号: | CN1317830A | 公开(公告)日: | 2001-10-17 |
发明(设计)人: | 木村肇 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/146 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 陈霁,梁永 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 驱动 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括:
放大晶体管;
偏压晶体管;
放大侧电源线;
偏压侧电源线;
偏压信号线;
放电晶体管;和
放电电源线,
其中放大晶体管的漏极端子连接到放大侧电源线,偏压晶体管的源极端子连接到偏压侧电源线,放大晶体管的源极端子连接到偏压晶体管的漏极端子,偏压晶体管的栅极端子连接到偏压信号线,放大晶体管的栅极端子起输入端子的作用,放大晶体管的源极端子起输出端子的作用,并且
输出端子和放电电源线中的一个连接到放电晶体管的源极端子,而另一个连接到放电晶体管的漏极端子。
2.依据权利要求1所述的器件,进一步包括负载电容,其中负载电容的一端连接到输出端子,负载电容的另一端连接到负载电容的电源线。
3.依据权利要求1所述的器件,其中放电电源线连接到偏压侧电源线。
4.依据权利要求1所述的器件,进一步包括至少一个选择开关以控制从放大侧电源线或从偏压侧电源线流到输出端子的电流。
5.依据权利要求1所述的器件,其中在偏压晶体管的栅极和源极之间的电压的绝对值等于在使偏压晶体管进入导通状态所需的栅极和源极之间的电压值的绝对值的最小值。
6.依据权利要求1所述的器件,其中光电转换元件连接到输入端子。
7.依据权利要求1所述的器件,其中将光电转换元件所产生的信号馈送到该输入端子。
8.依据权利要求1所述的器件,其中当该半导体器件具有许多偏压晶体管时,在该许多偏压晶体管的栅极和源极之间的电压的绝对值等于在使所有的许多偏压晶体管进入导通状态所需的栅极和源极之间的电压的值的绝对值的最小值。
9.依据权利要求1所述的器件,其中放大晶体管、偏压晶体管和放电晶体管都是具有相同极性的晶体管。
10.一种扫描仪,其使用依据权利要求1所述的半导体器件。
11.一种数字照相机,其使用依据权利要求1所述的半导体器件。
12.一种X-射线摄像机,其使用依据权利要求1所述的半导体器件。
13.一种便携式信息终端,其使用依据权利要求1所述的半导体器件。
14.一种计算机,其使用依据权利要求1所述的半导体器件。
15.依据权利要求2所述的器件,其中在放电电源线、负载电容电源线和偏压侧电源线中的至少2根线连接在一起。
16.依据权利要求2所述的器件,其中负载电容电源线连接到放大侧电源线。
17.依据权利要求2所述的器件,进一步包括至少一个选择开关以控制从放大侧电源线或从偏压侧电源线流到负载电容或输出端子的电流。
18.依据权利要求17所述的器件,其中选择开关至少具有一个N-沟道晶体管或P-沟道晶体管。
19.依据权利要求6所述的器件,其中光电转换元件是X-射线传感器或红外传感器。
20.依据权利要求6所述的器件,其中光电转换元件是光电二极管、肖特基二极管、雪崩二极管或光激电导体中的任何一种。
21.依据权利要求20所述的器件,其中光电二极管是PN型、PIN型或NPN掩埋型二极管中的一种。
22.依据权利要求6所述的器件,其中半导体器件具有复位晶体管,该复位晶体管的源极端子或漏极端子连接到光电转换元件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的