[发明专利]偏振可控光电子器件的制备方法无效
| 申请号： | 01115459.4 | 申请日： | 2001-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1383218A | 公开（公告）日： | 2002-12-04 |
| 发明（设计）人： | 董杰;张瑞英;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 1000*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明一种新型偏振可控光电子器件的制备方法,是利用波长为1.3μm－1.63μm的铟镓砷(磷)/铟磷材料,同时引进不同厚度的张应变、压应变或晶格匹配层,随意改变各应变层的位置,从而获得对TE模和TM模具有相同放大增益效果的偏振不灵敏光学放大,实现对TE、TM模式增益的控制。 | ||
| 搜索关键词： | 偏振 可控 光电子 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种偏振可控光电子器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在n型铟磷衬底上一次性外延生长n型铟磷缓冲层、宽能带的铟镓砷(磷)光限制层、应变渐变的有源层、宽能带的铟镓砷(磷)光限制层以及铟镓砷层；2)长二氧化硅层；3)光刻腐蚀出条形有源区，使光场对称性增加，有利于降低器件的阈值电流和工作电流，改善器件的可靠性和稳定性；4)二次外延电流阻挡层，用以形成掩埋异质结构减少电流泄漏；5)光刻腐蚀出窗口区，用以生长铟磷窗口区以减少有源区光反馈；6)利用化学腐蚀去掉顶层铟镓砷层；7)三次外延p型铟磷层和掺锌的铟镓砷电流接触层；8)利用等离子体化学气相沉积生长二氧化硅；9)开二氧化硅窗口；10)作电极；11)解理，在器件的两个端面上镀介质膜。
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