[发明专利]偏振可控光电子器件的制备方法

权利要求书

1、一种偏振可控光电子器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)在n型铟磷衬底上一次性外延生长n型铟磷缓冲层、宽能带的铟镓砷(磷)光限制层、应变渐变的有源层、宽能带的铟镓砷(磷)光限制层以及铟镓砷层；

2)长二氧化硅层；

3)光刻腐蚀出条形有源区，使光场对称性增加，有利于降低器件的阈值电流和工作电流，改善器件的可靠性和稳定性；

4)二次外延电流阻挡层，用以形成掩埋异质结构减少电流泄漏；

5)光刻腐蚀出窗口区，用以生长铟磷窗口区以减少有源区光反馈；

6)利用化学腐蚀去掉顶层铟镓砷层；

7)三次外延p型铟磷层和掺锌的铟镓砷电流接触层；

8)利用等离子体化学气相沉积生长二氧化硅；

9)开二氧化硅窗口；

10)作电极；

11)解理，在器件的两个端面上镀介质膜。

2、根据权利要求1所述的偏振可控光电子器件的制备方法，其特征在于，其步骤1中应变渐变有源层是指波长为1.3μm-1.63μm的铟镓砷(磷)/铟磷材料，依次采用多种应变层，比如在同一有源区中，包括应变量为0.005％厚度为20nm、应变量为-0.005％的厚度为15nm和应变量为-0.01％的厚度为10nm的材料。

3、根据权利要求1所述的偏振可控光电子器件的制备方法，其特征在于，其步骤1中在这种波长为1.3μm-1.63μm的铟镓砷(磷)/铟磷材料渐变应变有源区中，可将不同应力的材料层进行不同顺序排列，使其对应光场分布在不同位置；比如：可以先长10nm厚、应变为-0.005％的铟镓砷(磷)，然后再长晶格匹配铟镓砷(磷)20nm，最后再长应变为-0.005％的铟镓砷(磷)15nm。

4、根据权利要求1所述的偏振可控光电子器件的制备方法，其特征在于，其步骤1中该应变渐变有源层材料可以是体材料，也可以是量子阱材料。

5、根据权利要求1所述的偏振可控光电子器件的制备方法，其特征在于，其步骤3中光刻腐蚀出条形有源区可以是沿(110)方向的直条、与(110)方向成某一角度的斜条，也可以是弯曲波导。

6、根据权利要求1所述的偏振可控光电子器件的制备方法，其特征在于，其步骤4中二次外延电流阻挡层可以是p型铟磷/n型铟磷/p型铟磷晶闸管结构，也可以是p型铟磷结构，还可以在这些电流阻挡层进行离子注入。

7、根据权利要求1所述的偏振可控光电子器件的制备方法，其特征在于，其步骤5中光刻腐蚀出窗口区可以是直条窗口区，也可以是斜角窗口区，还可以是椎形或喇叭口形窗口区。

8、根据权利要求1所述的偏振可控光电子器件的制备方法，其特征在于，其步骤1中对于这种渐变应变1.3-1.63μm的渐变应变有源区材料，可以调节应变量、应变层的厚度以及应变层的位置，从而灵活调节有源区的偏振态，制备出TE模偏振、TM模偏振或TE、TM模偏振不灵敏的激光器、放大器、发光管、调制器和探测器。

9、根据权利要求1所述的偏振可控光电子器件的制备方法，其特征在于，其步骤11中镀介质膜可根据实际需要镀反射膜或透射膜或一面高反，一面增透。