[发明专利]具有位线参考电压的集成存储器和产生该电压的方法无效
| 申请号： | 01111908.X | 申请日： | 2001-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN1156851C | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | T·贝姆;Z·曼约基;R·埃斯特尔;T·雷尔 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22;G11C11/407 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良;张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在有差分写/读放大器(SA)的特别是铁电半导体存储器上，该放大器经传输晶体管(T)与由位线(BLi)和相应的参考位线(/BLi)组成的位线对相连，用于在存储电容器(MC)中读出和写入数据，为了提高位线参考电压精度安排主参考位线(/BL0)经电荷开关元件(TL)与参考电压(VREF)相连，为了在参考位线之间电荷平衡，至少一个其他参考位线(/BLi)经平衡开关元件(TA)与主参考位线相连。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 参考 电压 集成 存储器 产生 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成存储器，具有存储电容器(MC)，将存储电容器安排在字线(WLi)和由位线(BLi)和具有位线参考电压(V/BLi)的参考位线(/BLi)组成的位线对(BLi，/BLi)的交叉点上；具有选择晶体管(TM)，经过这个选择晶体管将存储电容器与位线相连，和将该选择晶体管的控制电极与字线相连；并且具有差分写入/读出放大器(SA)，此放大器经传输晶体管(T)与位线对相连，用于从存储电容器(MC)中读出数据和在存储电容器(MC)中写入数据，其特征为，主参考位线(/BL0)经过电荷开关元件(TL)与参考电压(VREF)相连；并且至少一个其他的参考位线(/BLi)为了在参考位线的寄生电容之间电荷平衡经平衡开关元件(TA)与主参考位线相连。
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