[发明专利]一种不同厚度氧化层的制造方法

摘要

本发明公开了一种不同厚度氧化层的制造方法。首先提供一半导体基底,在半导体基底上设有一第一组件区与一第二组件区。接着在半导体基底、第一组件区和第二组件区表面形成一第一氧化层。再对第一组件区上的第一氧化层提供一掺质,使其在第一氧化层上形成一第二氧化层,而第一氧化层与第二氧化层具有不同的性质,且第二氧化层厚度小于第一氧化层厚度。最后,去除第一组件区的第二氧化层,则第一组件区的第一氧化层厚度大于第二组件区上的第一氧化层厚度。

主权项

1.一种不同厚度氧化层的制造方法，其特征在于：该制造方法至少包括下列步骤；在一半导体基底上，设有一第一组件区与一第二组件区；在该第一组件区与该第二组件区表面设一第一氧化层；对该第一组件区上的第一氧化层提供一掺质，使该第一组件区第一氧化层上，形成一第二氧化层，其中该第一氧化层与该第二氧化层具有不同的性质，且该第二氧化层厚度小于该第一氧化层厚度；去除该第一组件区的该第二氧化层，暴露出该第一氧化层表面，使该第一组件区上的第一氧化层，与该第二组件区上形成的第一氧化层的厚度不同。