[发明专利]一种不同厚度氧化层的制造方法无效
| 申请号： | 01109731.0 | 申请日： | 2001-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1378252A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 蒋星星 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/473 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 不同 厚度 氧化 制造 方法 | ||
1.一种不同厚度氧化层的制造方法，其特征在于：该制造方法至少包括下列步骤；
在一半导体基底上，设有一第一组件区与一第二组件区；
在该第一组件区与该第二组件区表面设一第一氧化层；
对该第一组件区上的第一氧化层提供一掺质，使该第一组件区第一氧化层上，形成一第二氧化层，其中该第一氧化层与该第二氧化层具有不同的性质，且该第二氧化层厚度小于该第一氧化层厚度；
去除该第一组件区的该第二氧化层，暴露出该第一氧化层表面，使该第一组件区上的第一氧化层，与该第二组件区上形成的第一氧化层的厚度不同。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该掺质为氮气。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该掺质的植入深度由植入能量控制，植入能量约在5kev至10kev。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该掺质的植入深度决定该第二氧化层的厚度。
5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：使用BOE去除该第二氧化层。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：该第一组件区的第一氧化层厚度大于该第二组件区上的第一氧化层厚度。
7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：去除该第二氧化层以该第一氧化层为蚀刻终点。
8.一种不同厚度氧化层的制造方法，其特征在于：该制造方法至少包括下列步骤：
a.提供一半导体基底，该半导体基底具有一第一组件区与一第二组件区；
b.在该第一组件区与该第二组件区表面形成一第一氧化层；
c.对该第一组件区上的第一氧化层提供一掺质，在第一组件区上的部份第一氧化层上形成一第二氧化层，其中该第一氧化层与该第二氧化层具有不同的性质，且该第二氧化层厚度小于该第一氧化层厚度；
d.去除该第一组件区的该第二氧化层，暴露出该第一氧化层表面，使该第一组件区表面形成一第一厚度的氧化层，该第二组件区形成一第二厚度的氧化层。
重复b、c与d步骤，形成多层厚度不同的氧化层。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：该掺质为氮气。
10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：该掺质的植入深度由植入能量控制，植入能量约在5kev至10kev。
11.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：使用BOE去除该第二氧化层。
12.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：该氧化层的第二厚度大于第一厚度。
13.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：去除该第二氧化层以该第一氧化层为蚀刻终点。
14.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：该掺质的植入深度决定该第二氧化层的厚度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
