[发明专利]半导体集成电路、半导体集成电路的存储器修复方法无效
| 申请号： | 01101353.2 | 申请日： | 2001-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN1332459A | 公开（公告）日： | 2002-01-23 |
| 发明（设计）人： | 山本诚二;后藤宏二;冈本泰 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00;H01L27/10;G01R31/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的课题在于得到使成品率提高的半导体集成电路。该半导体集成电路具备多个RAM10～12;补充用的RAM13;测试多个RAM10～12的不良检测的测试/修复、控制、逻辑2、3;以及选择器20～23、30～32,根据与测试/修复、控制、逻辑2、3进行的测试结果对应的修复控制信号,与多个RAM10～12中被检测出不良的RAM相对应,补充补充用的RAM13。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 存储器 修复 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，其特征在于，具备：多个存储器；补充用的存储器；第1测试装置，测试上述多个存储器的不良检测；以及补充控制装置，根据与上述第1测试装置进行的测试结果对应的补充控制信号，与在上述多个存储器中被检测出不良的存储器相对应，补充上述补充用的存储器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三菱电机株式会社，未经三菱电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01101353.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：光学系统整体驱动型的光拾取器
- 下一篇：生产酸性N－长链酰氨基酸的方法
