[发明专利]多层物体调温处理的装置和方法和多层物体有效
申请号: | 00813743.9 | 申请日: | 2000-07-31 |
公开(公告)号: | CN1399798A | 公开(公告)日: | 2003-02-26 |
发明(设计)人: | V·普罗布斯特 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/032 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 郑立柱,张志醒 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 推荐了通过输入具有调温处理率为至少1℃/s的能量用于大面积多层物体调温处理的方法。为了抑制在调温处理期间的温度不均匀性将能量不同的部分能量输入给具有局部分辨率和时间分辨率的多层物体的层。将多层物体在一个容器中进行调温处理,容器有玻璃陶瓷的底板和盖子。将本方法使用在制造薄膜太阳能电池上。 | ||
搜索关键词: | 多层 物体 调温 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.多层物体(1)的调温处理装置,多层物体有一个第一层(2,3,4)和至少有一个第二层(2,3,4),通过第一层(2,3,4)接受第一个部分能量和通过第二层(2,3,4)接受第二个部分能量的多层物体(1)接受能量,具有-能量的至少一个能源(7,11),其特征为,-存在第一个和至少第二个能源,-至少一个能源(7,11)发射具有辐射场(9,15)的一定的电磁辐射(13),-至少一个层(2,4)对于电磁辐射(8,13)有一定的吸收,-将第一个能源(7)和第二层(4)之间的第一层(2)和第二个能源(11)和第一层(2)之间的第二层(4)可以这样安排,对于电磁辐射(8,13)具有吸收的层(2,4)位于辐射场(9,15)中,和-在辐射场(9,15)中在具有辐射场(9,15)的能源(7,11)和对于电磁辐射(8,13)有一个吸收的层(2,4)之间至少安排了一个透明物体(5,12),这个对于电磁辐射(8,13)有一定的透射和一定的吸收。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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