[发明专利]氮化铝外延生长法及所用生长室无效
| 申请号： | 00811253.3 | 申请日： | 2000-08-02 |
| 公开（公告）号： | CN1371433A | 公开（公告）日： | 2002-09-25 |
| 发明（设计）人： | 尤里·亚列山德罗维奇·沃达科夫;谢尔盖·尤里耶维奇·卡尔波夫;尤里·尼古拉耶维奇·马卡罗夫;耶夫格尼·尼古拉耶维奇·莫霍夫;马尔科·戈里戈尔耶维奇·拉姆;亚历山大·德米特里耶维奇·罗因科夫;亚历山大·索罗莫诺维奇·谢加尔 | 申请（专利权）人： | 福克斯集团公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/38 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种由氮和铝的蒸气混合物外延生长氮化铝单晶的方法,所述方法包括如下步骤外延生长基体(4)和铝源(5)置于生长室(3)内彼此相对的位置上;所述外延生长基体加热到一定温度,确保氮化铝单晶的生长,而且保持该温度。在生长室(3)内保持氮和铝蒸气混合物的压力,且所述压力超过低限不大于400mbar,该低限是源物质(5)蒸发形成的化学计量的氮和铝蒸气混合物在密闭空间产生的压力。本发明也涉及一种生长室(3),所述生长室接触源物质和铝蒸气的内表面,其材质是碳化钽在碳化物(原文如此)中的固溶体。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 外延 生长 所用 | ||
【主权项】：
1、一种采用氮和铝的蒸气混合物外延生长氮化铝单晶的方法，包括：在生长室(3)中彼此相对地布置外延生长基体(4)和铝源(5)，加热和保持铝源(5)和外延生长基体(4)的操作温度，使得在所述混合物中形成铝蒸气，在外延生长基体(4)上生长氮化铝单晶；其特征在于，生长室(3)中氮和铝的蒸气混合物的压力保持在一低限的400mbar区间内，该低限是在密闭、预抽空空间内由氮和铝蒸气混合物所产生的压力，而该氮和铝蒸气混合物是由加热到铝源温度的氮化铝蒸发形成的。
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