[发明专利]具有多厚度栅极氧化层的槽型半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种如金属－氧化物－半导体场效应晶体管的槽型半导体器件,通过增大槽底部上栅极氧化层的厚度减小了槽弯角处的强电场。在一制造方法中,在槽蚀刻后定向沉积氧化硅,在槽底部产生厚氧化层。在壁上生长薄栅极氧化层之前,去除槽壁上沉积的任何氧化物。然后在一个或多个阶段中用多晶硅填充槽。在另一方法中,在蚀刻槽壁前在槽底部的氧化层上沉积少量光致抗蚀剂。或多晶硅可沉积在槽中,并回刻至槽底部仅剩下一部分。然后氧化多晶硅,并用多晶硅填充槽。本方法可结合氧化层的定向沉积,之后是多晶硅填充和氧化。形成“钥匙孔”形栅电极的方法包括在槽底部沉积多晶硅、氧化多晶硅上表面、蚀刻氧化的多晶硅、和用多晶硅填充槽。

主权项

1.一种制造槽型栅极半导体器件的方法，包括：提供一半导体材料；将半导体材料放置在反应室内；在半导体材料中形成槽；在该室中产生电介质的荷电粒子；在该反应室中建立电场；在该槽中沉积电介质的层；利用电场将荷电粒子向半导体材料加速，使得电介质在该槽底部上比在该槽侧壁上沉积得更厚；以及在该槽中沉积导体材料以形成栅电极。