[发明专利]具有多厚度栅极氧化层的槽型半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 00810164.7 | 申请日： | 2000-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1360735A | 公开（公告）日： | 2002-07-24 |
| 发明（设计）人： | 韦恩·B·格拉博斯基 | 申请（专利权）人： | 理查德·K·威廉斯;韦恩·B·格拉博斯基 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒,魏晓刚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 厚度 栅极 氧化 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种制造槽型栅极半导体器件的方法，包括：
提供一半导体材料；
将半导体材料放置在反应室内；
在半导体材料中形成槽；
在该室中产生电介质的荷电粒子；
在该反应室中建立电场；
在该槽中沉积电介质的层；
利用电场将荷电粒子向半导体材料加速，使得电介质在该槽底部上比在该槽侧壁上沉积得更厚；以及
在该槽中沉积导体材料以形成栅电极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，产生荷电粒子包括在反应室中在至少两种气体之间形成化学反应。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，产生荷电粒子包括在反应室中形成等离子体。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，产生荷电粒子包括溅射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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