[发明专利]用于有机蚀刻的侧壁钝化的方法和装置

摘要

一种用以蚀刻位于一半导体器件上的一有机低介电常数绝缘层的强韧方法,如文中所揭示的,其包含在一处理室中引入一衬底,衬底上具有一有机绝缘层和一上覆的掩模层,且掩模层上有一孔洞。然后在处理室中由一氧化气体和一钝化气体生成一等离子体。钝化气体优选是一含有硅的气体或一含有硼的气体或两种气体合用。氧化气体与钝化气体的优选比率是10∶1。此外,也可提供一惰性载气。等离子体是用以通过掩模层蚀刻有机绝缘层,由此在有机低介电常数绝缘层中形成具有实质上呈垂直的侧壁的通孔。

主权项

1.一种通过一掩模层中的一孔洞各向异性地蚀刻一有机绝缘层的方法，包含：在一处理室中导入一衬底，该衬底上具有一有机绝缘层和一上覆的掩模层，且该掩模层上有一孔洞；以及在所述的处理室中产生一等离子体，该等离子体的成分来自一氧化气体和一钝化气体，其中该钝化气体来自实质上由含硅的气体和含硼的气体组成的组，其中所述氧化气体与所述钝化气体的比率至少是10∶1，如此可通过所述掩模层上的所述孔洞蚀刻所述有机绝缘层。