[发明专利]用于有机蚀刻的侧壁钝化的方法和装置

权利要求书

1.一种通过一掩模层中的一孔洞各向异性地蚀刻一有机绝缘层的方法，包含：

在一处理室中导入一衬底，该衬底上具有一有机绝缘层和一上覆的掩模层，且该掩模层上有一孔洞；以及

在所述的处理室中产生一等离子体，该等离子体的成分来自一氧化气体和一钝化气体，其中该钝化气体来自实质上由含硅的气体和含硼的气体组成的组，其中所述氧化气体与所述钝化气体的比率至少是10∶1，如此可通过所述掩模层上的所述孔洞蚀刻所述有机绝缘层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化气体与所述钝化气体的比率至少是50∶1。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化气体与所述钝化气体的比率至少是100∶1。

4.如权利要求1所述的方法，其中该钝化气体是SiF₄。

5.如权利要求1所述的方法，其中该钝化气体是SiCl₄。

6.如权利要求1所述的方法，其中该钝化气体是SiH₄。

7.如权利要求1所述的方法，其中该钝化气体是BCl₃。

8.如权利要求1所述的方法，其中所述的上覆掩模层包含多个孔洞。

9.一种用以蚀刻有机绝缘层的蚀刻系统，该蚀刻系统包含：

一室，该室能容纳一衬底，该基村上具有将被蚀刻的一有机绝缘层；

一气体输入机构，该气体输入机构连接一氧化气体和一钝化气体源，其中所述钝化气体来自实质上由含硅的气体和含硼的气体组成的组，而其中所述氧化气体与所述钝化气体的比率至少是10∶1；

设置于所述室中的至少一个电极；以及

一射频产生器，连接于该至少一个电极上，由所述氧化气体和所述钝化气体形成一等离子体，所述等离子体蚀刻所述有机绝缘层露出的部分。

10，如权利要求9所述的系统，该系统进一步包含多个气体输入机构，该气体输入机构连接一分离的氧化气体源与一分离的钝化气体源。

11.如权利要求10所述的系统，其中所述的气体输入机构将所述氧化气体和所述钝化气体释放入该室中使该室中该氧化气体与该钝化气体的比率至少为10∶1。

12.如权利要求9所述的系统，其中所述氧化气体与所述钝化气体的比率至少为50∶1。

13.如权利要求9所述的系统，其中所述氧化气体与所述钝化气体的比率至少为100∶1。

14.如权利要求9所述的方法，其中该钝化气体是SiF₄。

15.如权利要求9所述的方法，其中该钝化气体是SiCl₄。

16.如权利要求9所述的方法，其中该钝化气体是SiH₄。

17.如权利要求9所述的方法，其中该钝化气体是BCl₃。

18.一种制造集成电路结构的方法，该集成电路结构含有一有机介电层，该有机介电层有一通孔，而该通孔具有实质上是垂直的侧壁，该方法包含：

在一处理室中引入一衬底，该衬底上具有一有机绝缘层和一上覆的掩模层，该掩模层有一孔洞：以及

在所述室中产生一等离子体，该等离子体的成分来自一氧化气体和一钝化气体，其中所述钝化气体来自实质上由含硅的气体和含硼的气体组成的组，其中所述氧化气体与所述钝化气体的比率至少是10∶1，由此通过所述掩膜层上的所述孔洞蚀刻所述有机绝缘层。

19.如权利要求18所述的方法，其中所述氧化气体与所述钝化气体的比率至少是50∶1。

20.如权利要求18所述的方法，其中所述氧化气体与所述钝化气体的比率至少是100∶1。