[发明专利]具有透明连接区、用于硅化物应用的半导体器件及其制作

摘要

可用于禁止逆向工程的半导体器件及其方法,包括在半导体器件衬底区之上形成两个有源区。依据本发明的一个示范性实施例,可以将一个位于两个重掺杂区之间的可掺杂连接,或区域,掺杂为第一种极性类型,而两个重掺杂区具有相反的极性。如果由设计需要决定,该可掺杂区可用于导电连接两个重掺杂区。在该可掺杂区之上形成一种介电材料,并延伸至两个重掺杂区的每一个中的一部分之上,以禁止在该可掺杂区边缘之上形成硅化物。与硅化物工艺相关,在靠近该介电材料处以及两个重掺杂区的另一部分之上形成一种硅化物。

主权项

1．一种半导体器件，包括：位于半导体器件的一个衬底区之上的两个区(10，12)；一个位于这两个区之间的可掺杂区，该衬底区掺杂为第一种极性类型，而这两个区掺杂为与第一种极性类型相反的第二种极性类型，并且，当掺杂为第二种极性类型时，该可掺杂区可用于选择性地连接这两个区(10，12)；一种介电材料(18)，形成于该可掺杂区之上，并延伸至这两个区的每一个的一部分之上，该介电材料用于禁止在该可掺杂区边缘之上形成硅化物；和一种硅化物(20)，邻近位于这两个区的至少一个的另一部分之上的该介电材料。