[发明专利]用于消除浮体效应的SOI半导体集成电路及其制造方法

摘要

提供一种绝缘体上硅薄膜(SOI)集成电路以及一种制造SOI集成电路的方法。至少一个隔离的晶体管有源区和一体线形成在SOI衬底上。晶体管有源区和体线由与SOI衬底的埋式绝缘层接触的隔离层包围。晶体管有源区侧壁的一部分延伸至体线。于是,晶体管有源区经体延伸部分与体线电学上连接。体延伸部分覆有体绝缘层。绝缘的栅图案形成在晶体管有源区的上方并且栅图案的一端与体绝缘层重叠。

主权项

1．一种形成在SOI衬底上的绝缘体上硅薄膜(SOI)半导体集成电路，SOI衬底由支承衬底，支承衬底上的埋式绝缘层和埋式绝缘层上的第一导电类型的半导体层组成，包括：至少一个由半导体层预定区组成的隔离的晶体管有源区；在晶体管有源区一侧布置的第一导电类型的体线，体线由半导体层的一部分组成；包围晶体管有源区和体线侧壁的隔离层，隔离层与埋式绝缘层接触；从晶体管有源区的预定侧壁延伸出并与体线连接的第一导电类型的体延伸部分，体延伸部分比晶体管有源区薄；形成在体延伸部分上的体绝缘层；以及与晶体管有源区相交的绝缘的栅图案，绝缘的栅图案与体绝缘层重叠。