[发明专利]在半导体集成电路器件中形成自对准接触结构的方法有效
| 申请号： | 00122482.4 | 申请日： | 2000-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN1151550C | 公开（公告）日： | 2004-05-26 |
| 发明（设计）人： | 朴钟佑;金允基;朴东建 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/31;H01L21/283 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种在集成电路器件中形成自对准结构的方法，包括以下步骤：在衬底上形成多个互连图形；用帽盖绝缘层覆盖互连图形的表面和衬底的表面；在帽盖绝缘层上形成上部层间绝缘层填充互连图形之间的间隙区域；依次地构图上部层间绝缘层和帽盖绝缘层在互连图形之间形成第一接触孔；以及通过选择性湿腐蚀上部层间绝缘层，拓宽第一接触孔形成第二接触孔，露出互连图形侧壁上的帽盖绝缘层。此方法提高了工艺的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 形成 对准 接触 结构 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在集成电路器件中形成自对准接触结构的方法，包括以下步骤：在衬底上形成多个互连图形；用帽盖绝缘层覆盖互连图形的表面和衬底的表面；在帽盖绝缘层上形成一上部层间绝缘层，填充互连图形之间的间隙区域；依次地构图上部层间绝缘层和帽盖绝缘层，在互连图形之间形成第一接触孔；以及通过选择性湿腐蚀上部层间绝缘层，拓宽第一接触孔形成第二接触孔，露出互连图形侧壁上的帽盖绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
