[发明专利]一种形成光刻胶图形的方法无效
| 申请号： | 00109834.9 | 申请日： | 2000-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN1280315A | 公开（公告）日： | 2001-01-17 |
| 发明（设计）人： | 泷泽正晴 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/004;H01L21/027;H01L21/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 胡交宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了即使在化学放大型光刻胶的封闭水平升高时降低显影缺陷,按照本发明的光刻胶图形形成方法,将一种由化学放大型光刻胶制成的光刻胶(12)施用在半导体基底(11)上,之后,在促进从光刻胶膜(12)除去保护基团的去除反应的PEB处理之前,将一种含有亲水基团的表面活性剂的水溶液施用在光刻胶膜(12)上,从而形成表面活性剂层(18)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 形成 光刻 图形 方法 | ||
【主权项】：
1．一种形成光刻胶图形的方法，该方法包括以下步骤：在一种基底上涂布含有一种光酸产生剂的化学放大型光刻胶，形成光刻胶膜，将在所说的涂布步骤中形成的所说的光刻胶膜进行预定图形曝光，对所说的光刻胶膜进行PEB处理(曝光后焙烧处理)，以在所说的光刻胶膜的整个区域中的曝光区域内促进酸催化剂敏化反应，并将经过PEB处理步骤的所说的光刻胶膜进行显影，得到所需形状的光刻胶图形，其特征在于在通过涂布形成所说的光刻胶膜之后但在显影之前施用一种含有一种疏水基团和一种亲水基团的缺陷防止剂的步骤。
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