[发明专利]用于千兆位动态随机存取存储器的场屏蔽沟槽隔离无效
| 申请号： | 00104636.5 | 申请日： | 2000-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN1267913A | 公开（公告）日： | 2000-09-27 |
| 发明（设计）人： | J·A·曼德尔曼;R·迪瓦卡鲁尼;G·拉罗萨;U·格吕宁;C·拉登斯 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司;国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L27/108;H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 动态随机存取存储器有多对存储单元,存储单元通过垂直电隔离沟槽相互隔离并与配套电路隔离。隔离沟槽具有侧壁及上和下部,并包围包含存储单元的半导体本体的区域。这使多对存储单元相互电隔离并与位于半导体本体内不位于环绕区内的配套电路电隔离。隔离沟槽的下部填充有导电材料,导电材料有侧壁部分和下部,侧壁部分通过第一电绝缘体至少部分与沟槽下部的侧壁分离,下部与半导体本体电接触。隔离沟槽的上部填充第二电绝缘体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 千兆 动态 随机存取存储器 屏蔽 沟槽 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种含有半导体结构的半导体本体，包括：确定具有侧壁和上下部的隔离沟槽和围绕半导体本体的区域的半导体本体，半导体本体包含的半导体结构与半导体本体内包含的而不位于围绕区域内的其它半导体结构电隔离；隔离沟槽的下部至少部分填充有导电材料，该导电材料具有通过第一电绝缘体与沟槽下部侧壁至少部分分离的侧壁部分，以及具有与半导体本体电接触的下部；和隔离沟槽的上部填充有第二电绝缘体。
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