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[发明专利]包括具有纳米级涂层的集电器的电极及其制造方法-CN201410057900.X在审
发明人：兰杰斯·迪维加尔皮蒂亚;玛丽·I·布克特 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2009-08-18 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01M4/13 文献下载
摘要：本发明提供了集电器和方法，其涉及可用于锂聚合物电化学电池的电极。所提供的集电器包括金属基板、基本上均匀的纳米级碳涂层和活性电极材料。所述涂层的最大厚度小于约200纳米。
包括具有纳米涂层电器电极及其制造方法

[发明专利]一种LED及其制备方法-CN201410038456.7在审
发明人：裴小明;曹宇星 -专利权人：上海瑞丰光电子有限公司
申请日： 2014-01-26 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明适用于LED技术领域，提供了一种LED及其制备方法，所述LED包括水平结构倒装晶片（覆晶晶片）和用以围覆所述水平结构倒装晶片的透明封装胶，位于所述水平结构倒装晶片各侧面的透明封装胶厚度均匀、一致。此处用透明胶围覆水平结构倒装晶片，并使位于所述水平结构倒装晶片各侧面的透明胶厚度均匀、一致，如此形成的LED可直接焊接于应用端，无需常规的LED支架封装，应用工艺简单，无封装层面的热阻和可靠性，极大地降低了LED产品的制备成本，提升LED的可靠性，且结构简单。
一种 led 及其制备方法

[发明专利]一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构-CN201210517170.8在审
发明人：叶交托;罗乐;徐高卫;王双福 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器的圆片级封装方法及封装结构，该封装方法包括：在一传感晶片的有源面形成第一钝化层；在第一钝化层上沉积至少1个金属煽出电极；将传感晶片的有源面与一透明基板键合；在传感晶片的背面沉积第二钝化层，并在第二钝化层上刻出划槽标记；在划槽标记处制作凹槽；在传感晶片背面制作第三钝化层；在凹槽底制作贯通金属煽出电极的通孔；制作金属互连线使其通过通孔将金属煽出电极引出至第三钝化层的背面；制作完全覆盖金属互连线的第四钝化层；在第四钝化层刻蚀开口露出金属互连线的一端；在第四钝化层上制作UBM层和焊锡凸点。本发明可靠性强、成本低、具有较小的信号延迟和较高的互连密度。
一种图像传感器圆片级封装方法结构

[发明专利]包括耦合至解耦合器件的半导体器件的装置-CN201310613426.X在审
发明人： A·W·洛特菲;J·德姆斯基;A·菲根森;D·D·洛帕塔;J·诺顿;J·D·威尔德 -专利权人：英力股份有限公司
申请日： 2013-11-27 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供一种装置及其形成方法，在一个实施例中，装置包括印刷电路板和耦合至印刷电路板的半导体器件。装置还包括耦合到印刷电路板并且定位于半导体器件之下的解耦合器件。
包括耦合器件半导体器件装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201210506055.0在审
发明人：朱慧珑;徐秋霞;张严波;杨红 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：在半导体衬底中形成源/漏区；在半导体衬底上形成界面氧化物层；在界面氧化物层上形成高K栅介质；在高K栅介质上形成第一金属栅层；通过共形掺杂在第一金属栅层中注入掺杂剂；以及进行退火以改变栅叠层的有效功函数，其中栅叠层包括第一金属栅层、高K栅介质和界面氧化物层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有SiGeSn沟道的鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201410063181.2在审
发明人：王敬;肖磊;赵梅;梁仁荣;许军 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出一种具有SiGeSn沟道的鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中形成方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底之上形成SiGe鳍形结构；向SiGe鳍形结构注入含有Sn元素的原子、分子、离子或等离子体，以形成SiGeSn层；在SiGeSn层上形成栅堆叠结构。根据本发明的形成方法，可以得到具有厚度较薄、质量较好的SiGeSn沟道区的FinFET，该方法具有简单易行、成本低的优点。
具有 sigesn 沟道场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]FinFET及其制造方法-CN201210506189.2在审
发明人：朱慧珑;许淼 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了一种FinFET及其制造方法。制造FinFET的方法包括：图案化半导体衬底以形成脊状物；进行离子注入，使得在脊状物中形成掺杂穿通阻止层，并且半导体衬底位于掺杂穿通阻止层上方的部分形成半导体鳍片；形成与半导体鳍片相交的栅堆叠，该栅堆叠包括栅极电介质和栅极导体，并且栅电介质将栅极导体和半导体鳍片隔开；形成围绕栅极导体的栅极侧墙；以及在半导体鳍片位于栅堆叠两侧的部分中形成源区和漏区。掺杂穿通阻止层将半导体鳍片和半导体衬底隔开，从而可以断开源区和漏区之间经由半导体衬底的漏电流路径。
finfet 及其制造方法

[发明专利]晶体管及其制造方法-CN201210514533.2在审
发明人：肖德元 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管及其制造方法，所述制造方法包括：在基底上形成量子阱层、势垒层；形成用于隔离不同的晶体管区域的隔离结构；图形化晶体管区域的势垒层、量子阱层，保留对应栅极区域的势垒层、量子阱层，去除对应源极区域、漏极区域的势垒层、量子阱层，从而形成沟槽；向沟槽中填充掺杂的半导体材料，以形成源极和漏极；在栅极区域的量子阱层上形成栅极结构。晶体管包括：基底，基底上形成有用于隔离不同晶体管区域的隔离结构；晶体管区域包括依次位于基底上的量子阱层、势垒层；位于势垒层上的栅极结构；位于栅极结构两侧基底上且与量子阱层、势垒层相接触的源极和漏极。本发明可以提高晶体管的电子迁移率。
晶体管及其制造方法

[发明专利]基片刻蚀方法-CN201210509752.1在审
发明人：李成强 -专利权人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
申请日： 2012-11-30 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种基片刻蚀方法，其包括以下步骤：向反应腔室内输入由氯气和氯化物气体混合的刻蚀气体；向反应腔室施加激励功率，以使所述刻蚀气体形成等离子体；向待处理基片施加偏压功率，以使所述等离子体刻蚀待处理基片。本发明提供的基片刻蚀方法可以减少甚至避免GaN槽底部的针状物的出现，从而提高工艺质量。
刻蚀方法

[发明专利]用于半导体晶圆制造过程中的氧化扩散工艺的挡片舟组件-CN201210511521.4在审
发明人：潘之炜;季勇;崔严匀 -专利权人：无锡华润华晶微电子有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/22 文献下载
摘要：本发明提出了用于半导体晶圆制造过程中的氧化扩散工艺的挡片舟组件。其中，所述挡片舟组件包括挡片基座和至少一个挡片，所述挡片基座实质上是长方体的形状并且具有至少一个插槽，所述挡片是圆片的形式，其中，在使用时，将所述至少一个挡片插入到所述挡片基座的所述至少一个插槽中以形成挡片舟组件。本发明所公开的挡片舟组件具有高的使用寿命、不易变形，并且成本低。
用于半导体制造过程中的氧化扩散工艺挡片舟组件

[发明专利]漏斗型特大硅穿孔的制作方法-CN201210510459.7在审
发明人：吴智勇;袁苑 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种漏斗型特大硅穿孔的制作方法，步骤包括：1）在硅基板背面淀积二氧化硅刻蚀停止层；2）在硅基板正面淀积二氧化硅硬掩膜；3）光刻和二氧化硅硬掩膜干法刻蚀定义硅穿孔图形；4）间歇式干法刻蚀出硅通道；5）高能量各向同性干法刻蚀，形成漏斗形硅穿孔；6）低能量各向同性干法刻蚀；7）去除各刻蚀步骤形成的聚合物；8）湿法去除二氧化硅。本发明利用高精度的半导体工艺刻穿硅基板，形成硅片正面为漏斗形状的圆孔，作为光纤对准基座阵列，由于圆孔正面为较大的喇叭口，从而方便了光纤插入硅通道；同时，喇叭口交接处较圆滑，光纤插入时不容易折断，这样不仅提高了对准的精度和良率，还简化了制作工艺流程，降低了成本。
漏斗特大穿孔制作方法

[发明专利]刻蚀设备腔体的气体导入结构和气体导入方法-CN201210512771.X在审
发明人：严超逸;刘同玉;刘东升 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀设备腔体的气体导入结构，气体导入板的整个平面上设置有均匀分布的孔，在气体导入板和进气孔之间设置有气体挡板，该气体挡板的中间区域设置为无孔，周围区域设置有孔。本发明能避免在气体导入板的中央形成堆积物，从而能提高刻蚀的均匀性、降低堆积物脱落时造成背压报警和光刻胶烧焦等故障、以及降低清扫频率，还能提高气体流入腔体后分布的均匀性、从而能进一步提高刻蚀工艺的均匀性。本发明还公开了一种刻蚀设备腔体的气体导入方法。
刻蚀设备气体导入结构方法

[发明专利]一种箔式电容器环氧树脂一次封装的生产工艺-CN201210508026.8在审
发明人：黄渭国 -专利权人：六和电子（江西）有限公司
申请日： 2012-12-03 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01G4/224 文献下载
摘要：一种箔式电容器环氧树脂一次封装的生产装置，其特征在于它的工艺流程为：固定在夹具上的产品先浸入内封装环氧树脂槽(1)内浸涂，然后机械手将其放入第二个UV光照射预固化槽(2)内，UV光照射下内封装环氧树脂快速固化，然后机械手再将预固化后的产品放入外封装环氧树脂槽(3)内浸涂外封装环氧树脂，完成后取出产品进入烘箱直至完全固化。它减少了原工艺的产品周转时间，减少了内封装环氧树脂的流失，提高了产品的电气性能。
一种电容器环氧树脂一次封装生产工艺

[发明专利]一种铁路自动检票方法及系统-CN201410100762.9在审
发明人：王成;蒋秋华;陈靖;周亮瑾;化小刚;王明哲;李超;单杏花;张曦;张彬彬;贾成强;赵楠;潘浪涛;李政;刘强;苏建飞;徐海涛;喜崇浩 -专利权人：中国铁道科学研究院电子计算技术研究所;北京经纬信息技术公司
申请日： 2014-03-18 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G07B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁路自动检票方法及系统，包括：获取客票基础数据和列车实时到发信息；根据所述客票基础数据和列车实时到发信息生成列车检票计划；以列车的车次为索引将所述列车检票计划生成检票规则；根据所述检票规则完成自动检票。本发明通过从客票发售和预订系统获取客票基础数据，从旅服平台获取列车实时到发信息，据此生成检票计划，并以列车的车次为索引将所述列车检票计划生成检票规则，进行磁票、电子票和中铁银通卡的有效性检查处理，允许持合法票的旅客通过，对持非法票的旅客进行相应错误提示，完成旅客进出站自助检票，为广大旅客出行提供了便捷的检票方式，增强了高铁铁路乘客的检票体验，为铁路稳定安全发展做了充分的技术保障。
一种铁路自动检票方法系统

[发明专利]一种CT和MR异机三维图像融合的配准方法及系统-CN201210493464.1在审
发明人：彭鳒侨;卢伟杰 -专利权人：广州医学院第一附属医院
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种CT和MR异机三维图像融合的配准方法，包括：将获取的CT图像、与CT图像相匹配的MR图像进行二维图像定位配准，所述二维图像定位配准是通过在CT图像和MR图像上分别选取3个特征面和9个特征点，使CT图像和MR图像在空间上点面对应；将经过二维图像定位配准的CT图像和MR图像进行图像融合、重建，得到CT和MR异机三维融合图像。本发明还公开了一种相应的配准系统。采用本发明，输入CT/MR原始数据后采用数字化格式转换，通过“3面9点”立体对位法进行配准，在实时工作站Mimics按照信息交互自动融合模式，通过讯号叠加技术完成图像融合，实现CT和MR异机三维图像的精确融合。
一种 ct mr 三维图像融合方法系统