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- [发明专利]用于湿度测量的电路装置和方法-CN200710138335.X有效
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G·尼科劳斯
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E+E电子有限责任公司
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2007-07-27
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2008-01-30
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G01N27/22
- 本发明涉及一种用于测量空气湿度的电路装置和方法。电路装置由包括振荡器单元和信号处理单元的测量装置以及由在很大程度上通过电容性湿度传感器与寄生电阻的并联电路来确定的、确定频率的阻抗构成。确定频率的阻抗被连接到包含振荡器的振荡器单元,振荡器的振荡频率与确定频率的阻抗相关。振荡器单元包含被接到确定频率的阻抗的、可接通的阻抗,由此能将该振荡器从第一频域转换到第二频域。将具有振荡器的振荡频率的振荡器信号输送给信号处理单元,在信号处理单元中能测量振荡器信号的频率并且根据振荡器信号在第一频域中的频率的第一测量与振荡器信号在第二频域中的频率的第二测量的差能确定用于补偿寄生电阻对振荡器的振荡频率的影响的校正值。
- 用于湿度测量电路装置方法
- [发明专利]液晶显示器-CN200710137186.5有效
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安顺一
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三星电子株式会社
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2007-07-30
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2008-01-30
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G02F1/1362
- 一种具有增强的透光率和改进的侧向可见度的LCD包括:形成在第一绝缘基板上的栅极线和存储电极线;与所述栅极线绝缘并与其交叉的数据线;第一源电极,部分地与第n栅极线交迭并且连接到所述数据线;第一漏电极和第二漏电极,部分地与第n栅极线交迭并与第一源电极相分离;第一子像素电极,电连接到第一漏电极;第二子像素电极,电连接到第二漏电极;第二源电极,部分地与第(n+1)栅极线交迭并且电连接到所述第二子像素电极;和第三漏电极,部分地与第(n+1)栅极线交迭并且与第二源电极相分离,并可操作以升高第一子像素电极的充电电压和降低第二子像素电极的充电电压。
- 液晶显示器
- [发明专利]液晶显示器-CN200710129176.7有效
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崔晋荣;成硕济;全珍
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三星电子株式会社
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2007-07-13
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2008-01-30
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G09G3/36
- 一种液晶显示器(LCD),包括基板、栅极线、数据线、薄膜晶体管和像素电极。栅极线形成于基板上,并与栅极线交叉。薄膜晶体管与栅极线和数据线相连,而且每一个薄膜晶体管包括漏极电极。像素电极与薄膜晶体管相连,并排列成矩阵,并且每一个像素电极具有与栅极线平行放置的第一边,以及与第一边相邻并比第一边短的第二边。在该LCD中,如果相邻像素电极的极性不同,则漏极电极的预定部分仅与相邻像素电极之一重叠,而如果两个相邻像素电极的极性相同,则漏极电极的预定部分与两个相邻像素电极都重叠。
- 液晶显示器
- [发明专利]图像处理设备和其控制方法-CN200710136377.X有效
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小谷拓矢
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佳能株式会社
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2007-07-26
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2008-01-30
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H04N5/225
- 本发明涉及一种图像处理设备和其控制方法。该图像处理设备基于输入的图像数据以及异物信息来校正图像数据,异物信息包括与附着在拍摄了图像数据的图像拍摄设备中的图像传感器附近的异物的位置和大小相关的信息,所述图像处理设备包括:校正单元,用于基于图像数据和异物信息来校正图像数据,从而减小异物投射在图像数据中的阴影的影响;均一性判断单元,用于判断在图像数据中异物周围的区域中图像的均一性;控制单元,用于当均一性判断单元判断为均一性低于预定值时,防止校正单元校正图像数据。
- 图像处理设备控制方法
- [发明专利]液体处理系统-CN200710138102.X有效
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松本和久;金子聪;饱本正己;户岛孝之;伊藤规宏
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东京毅力科创株式会社
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2007-07-26
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2008-01-30
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H01L21/00
- 一种液体处理系统,包括:液体处理部(21b),水平设置有向基板(W)供给处理液来进行液体处理的多个液体处理单元(22);处理液存留部(21h),对向液体处理部的多个液体处理单元供给的处理液进行存留;配管单元(21f),具有从处理液存留部向多个液体处理单元引导处理液的供给配管;和容纳液体处理部、处理液存留部及配管单元的共用的框体(21)。处理液存留部、配管单元、及液体处理部从下方开始按该顺序被设置,配管单元的供给配管具有沿着多个液体处理单元的排列方向水平延伸的水平配管部(70a),处理液从水平配管部分别被导入液体处理单元。
- 液体处理系统
- [发明专利]用作H-桥电路的功率半导体模块及其制造方法-CN200710129219.1有效
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R·桑德
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英飞凌科技奥地利股份公司
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2007-04-26
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2008-01-30
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H01L25/16
- 本发明涉及具有四个功率半导体芯片(N1,N2,P1,P2)和一半导体控制芯片(IC)的作为H桥电路(42)的功率半导体模块(41),及制造该功率半导体模块(41)的方法。半导体芯片(N1,N2,P1,P2,IC)设置在一引线平面(80)的三个互相分离的大面积引线芯片接触区(43到45)上。半导体控制芯片(IC)设置于在中央设置的引线芯片接触区(45)上。作为下侧开关(58,59)的n型沟道功率半导体芯片(N1,N2)以及作为上侧开关(48,49)的P型沟道功率半导体芯片(P1,P2)在任何情况下都被设置在两个侧向设置的引线芯片接触区(43,44)上。n型沟道功率半导体芯片(N1,N2)共同处于地电势(50)且P型沟道功率半导体芯片(P1,P2)电连接到分开的电源电压(VS1,VS2)。
- 用作电路功率半导体模块及其制造方法
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